型号 PHT2010Y1001BGT200
厂商 Vishay Sfernice
描述 RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1001BGT200 PDF
代理商 PHT2010Y1001BGT200
标准包装 1
系列 PHT
电阻(欧姆) 1k
功率(瓦特) 0.1W,1/10W
复合体 薄膜
温度系数 ±25ppm/°C
容差 ±0.1%
封装/外壳 2010(5125 公制)
尺寸/尺寸 0.200" L x 0.100" W(5.08mm x 2.54mm)
高度 0.025"(0.63mm)
端子数 2
包装 剪切带 (CT)
其它名称 PHTH-1.0KCT
同类型PDF
PHT2010Y1001BGT200 Vishay Sfernice RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1002BGT200 Vishay Sfernice RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y1003BGT200 Vishay Sfernice RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2010Y3004BGT200 Vishay Sfernice RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010
PHT2NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10LT,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT4NQ10T,135 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
PHT-650325 OKI/Metcal TIP REPL .06" 60DG CHISEL 650SRS
PHT-650335 OKI/Metcal TIP REPL .07" 30DG CHISEL 650SRS
PHT-651355 OKI/Metcal TIP REPL .10" 30DG CHISEL 650SRS